晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通?！?mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。

電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。

市場(chǎng)需求：隨著紅外探測(cè)、5G 通信、半導(dǎo)體芯片等行業(yè)的發(fā)展，高純度區(qū)熔鍺錠需求持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是 8N 級(jí)以上超高純鍺錠，市場(chǎng)缺口逐漸擴(kuò)大。

技術(shù)趨勢(shì)：未來將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開發(fā)多場(chǎng)耦合區(qū)熔技術(shù)（電磁 + 溫度梯度）、優(yōu)化熔區(qū)參數(shù)控制算法，實(shí)現(xiàn) 9N 級(jí)鍺錠的規(guī)模化生產(chǎn)；同時(shí)，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導(dǎo)體器件中回收鍺）將成為重要發(fā)展方向，緩解資源短缺壓力。