純度等級：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。

化學(xué)雜質(zhì)：重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。

光纖通信領(lǐng)域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關(guān)鍵原料之一。

全球資源分布集中：鍺在地殼中含量僅 0.0007%，難以獨立成礦，主要伴生于鉛鋅礦、煤礦等，全球已探明儲量僅 8600 噸，中國（41%）、美國（45%）為主要儲量國。資源的稀散屬性導(dǎo)致原料供給天然受限，直接推高上游開采與初級提純成本。?