化學(xué)雜質(zhì)：重點(diǎn)控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。

其他應(yīng)用：低純度鍺錠用于生產(chǎn)鍺合金（如鍺銅、鍺鋁合金），提升材料的強(qiáng)度和耐腐蝕性；高純鍺錠還用于核輻射探測(cè)器、半導(dǎo)體摻雜靶材等特種場(chǎng)景。

技術(shù)趨勢(shì)：未來(lái)將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開(kāi)發(fā)多場(chǎng)耦合區(qū)熔技術(shù)（電磁 + 溫度梯度）、優(yōu)化熔區(qū)參數(shù)控制算法，實(shí)現(xiàn) 9N 級(jí)鍺錠的規(guī)?；a(chǎn)；同時(shí)，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導(dǎo)體器件中回收鍺）將成為重要發(fā)展方向，緩解資源短缺壓力。

原料供給依賴主礦副產(chǎn)品：區(qū)熔鍺錠原料（粗鍺、還原鍺粉）主要來(lái)自鉛鋅冶煉副產(chǎn)品及鍺礦回收，主礦開(kāi)采規(guī)模、冶煉回收率直接影響原料供應(yīng)量，進(jìn)而傳導(dǎo)至區(qū)熔鍺錠價(jià)格。?