電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。

半導體與電子領(lǐng)域：6N 以上區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、紅外傳感器等，廣泛應(yīng)用于航天、軍工、5G 通信等高端場景。

資源與產(chǎn)能：鍺為稀缺分散元素，全球探明儲量約 8600 噸，中國儲量占比 41%，是全球的鍺生產(chǎn)國（2023 年產(chǎn)能約 105 噸，占全球 70%），主要產(chǎn)區(qū)集中在云南、貴州、四川等地。

電子廠：電子廠回收：半導體藍膜，半導體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關(guān)，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。