市場(chǎng)價(jià)格：鍺錠的市場(chǎng)價(jià)格長(zhǎng)期維持在較高水平，不同純度等級(jí)的鍺錠價(jià)格差異顯著，高純鍺錠的回收價(jià)格處于每公斤上萬(wàn)元區(qū)間。

后處理

冷卻與脫模：區(qū)熔結(jié)束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內(nèi)應(yīng)力開(kāi)裂，冷卻后取出鍺錠。

切頭切尾：切除含高濃度雜質(zhì)的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。

檢測(cè)分級(jí)：通過(guò)電阻率測(cè)試、ICP-MS 分析雜質(zhì)含量，按純度分級(jí)（如 6N、7N、8N），合格產(chǎn)品包裝入庫(kù)，不合格品返回原料重熔。

退火處理（可選）：對(duì)高純鍺錠進(jìn)行 400~500℃真空退火，消除內(nèi)應(yīng)力，提升晶體完整性，滿(mǎn)足半導(dǎo)體單晶制備需求。

鍺錠的關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)?

純度等級(jí)：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級(jí)超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?

晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通?！?mm），無(wú)明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?

電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。?

化學(xué)雜質(zhì)：重點(diǎn)控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?

外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無(wú)氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長(zhǎng)度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據(jù)應(yīng)用定制。

半導(dǎo)體與電子領(lǐng)域：6N 以上區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進(jìn)一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測(cè)器、紅外傳感器等，廣泛應(yīng)用于航天、軍工、5G 通信等高端場(chǎng)景。?

紅外光學(xué)領(lǐng)域：高純度鍺錠經(jīng)切片、拋光后，制成紅外光學(xué)鏡片、窗口材料，具有優(yōu)異的紅外透過(guò)率（2~14μm 波段透過(guò)率≥40%），用于紅外熱像儀、導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)、衛(wèi)星遙感設(shè)備。?

光纖通信領(lǐng)域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關(guān)鍵原料之一。?

其他應(yīng)用：低純度鍺錠用于生產(chǎn)鍺合金（如鍺銅、鍺鋁合金），提升材料的強(qiáng)度和耐腐蝕性；高純鍺錠還用于核輻射探測(cè)器、半導(dǎo)體摻雜靶材等特種場(chǎng)景。