鍺錠的核心分類與差異?

除了之前重點(diǎn)介紹的區(qū)熔鍺錠，工業(yè)中常見的鍺錠還包括以下類型，核心差異集中在提純工藝、純度與用途：?

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類型?

提純方法?

純度范圍?

關(guān)鍵特點(diǎn)?

主要應(yīng)用?

區(qū)熔鍺錠（FZ-Ge）?

水平 / 垂直區(qū)熔法?

6N~9N（99.9999%~99.9999999%）?

雜質(zhì)偏析徹底，晶體完整性高，半導(dǎo)體特性優(yōu)異?

鍺單晶、紅外光學(xué)材料、半導(dǎo)體器件?

真空熔煉鍺錠?

真空高溫熔煉?

4N~5N（99.99%~99.999%）?

生產(chǎn)效率高，成本較低，純度適中?

鍺合金、低檔光學(xué)部件、含鍺化合物原料?

電解精煉鍺錠?

電化學(xué)還原 + 精煉?

5N~6N?

雜質(zhì)去除效率穩(wěn)定，適合批量生產(chǎn)?

光纖用鍺摻雜劑、靶材中間體?

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鍺錠的關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)?

純度等級：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?

晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通?！?mm），無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?

電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。?

化學(xué)雜質(zhì)：重點(diǎn)控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?

外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據(jù)應(yīng)用定制。

半導(dǎo)體與電子領(lǐng)域：6N 以上區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，進(jìn)一步加工為鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測器、紅外傳感器等，廣泛應(yīng)用于航天、軍工、5G 通信等高端場景。?

紅外光學(xué)領(lǐng)域：高純度鍺錠經(jīng)切片、拋光后，制成紅外光學(xué)鏡片、窗口材料，具有優(yōu)異的紅外透過率（2~14μm 波段透過率≥40%），用于紅外熱像儀、導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng)、衛(wèi)星遙感設(shè)備。?

光纖通信領(lǐng)域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關(guān)鍵原料之一。?

其他應(yīng)用：低純度鍺錠用于生產(chǎn)鍺合金（如鍺銅、鍺鋁合金），提升材料的強(qiáng)度和耐腐蝕性；高純鍺錠還用于核輻射探測器、半導(dǎo)體摻雜靶材等特種場景。

錦鑫業(yè)務(wù)回收范圍：

冶煉廠：黃金，白銀，鉑金，鈀金，銠金，銀鋅電瓶，以及粗鉛,貴鉛,陽極泥等廢料;

礦山廠：銅粉，鉛粉，活性炭，載金炭，炭泥，銀粉，銀泥，金泥，一切煉金，煉銀，煉鉑，鈀銠的廢渣廢料等。

電鍍廠：金鹽、銀鹽、金銀廢水等廢料；

電子廠：電子廠回收：半導(dǎo)體藍(lán)膜，半導(dǎo)體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關(guān)，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導(dǎo)電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。