原料預(yù)處理

原料選擇：選用純度約 5N（99.999%）的粗鍺錠或還原鍺粉，通常來自 GeCl?水解、GeO?氫還原等工藝產(chǎn)出的初級(jí)金屬鍺。

表面凈化：用混合酸（如 HF+HNO?）腐蝕去除表面氧化層與油污，再經(jīng)去離子水清洗、真空烘干，防止雜質(zhì)帶入后續(xù)工序。

破碎與成型：將凈化后的鍺料破碎成均勻顆粒，壓制成與石英舟適配的條狀或塊狀，減少區(qū)熔時(shí)的縮孔與偏析。

區(qū)熔提純（核心步驟）

熔區(qū)建立：采用高頻感應(yīng)加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區(qū)，溫度控制在鍺熔點(diǎn)（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態(tài)。

熔區(qū)移動(dòng)與多道次提純

以 15~120mm/h 的速率移動(dòng)熔區(qū)，雜質(zhì)隨熔區(qū)向尾料端偏析，純鍺在熔區(qū)前方結(jié)晶。

單次區(qū)熔提純有限，需重復(fù) 8~20 道次，根據(jù)目標(biāo)純度調(diào)整次數(shù)，每道次后熔區(qū)反向移動(dòng)可提升均勻性。

參數(shù)控制：控制加熱功率、熔區(qū)移動(dòng)速率與溫度梯度，避免局部過熱導(dǎo)致鍺揮發(fā)或石英舟變形，同時(shí)減少熱應(yīng)力與晶體缺陷。

后處理

冷卻與脫模：區(qū)熔結(jié)束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內(nèi)應(yīng)力開裂，冷卻后取出鍺錠。

切頭切尾：切除含高濃度雜質(zhì)的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。

檢測(cè)分級(jí)：通過電阻率測(cè)試、ICP-MS 分析雜質(zhì)含量，按純度分級(jí)（如 6N、7N、8N），合格產(chǎn)品包裝入庫，不合格品返回原料重熔。

退火處理（可選）：對(duì)高純鍺錠進(jìn)行 400~500℃真空退火，消除內(nèi)應(yīng)力，提升晶體完整性，滿足半導(dǎo)體單晶制備需求。

錦鑫業(yè)務(wù)回收范圍：

冶煉廠：黃金，白銀，鉑金，鈀金，銠金，銀鋅電瓶，以及粗鉛,貴鉛,陽極泥等廢料;

礦山廠：銅粉，鉛粉，活性炭，載金炭，炭泥，銀粉，銀泥，金泥，一切煉金，煉銀，煉鉑，鈀銠的廢渣廢料等。

電鍍廠：金鹽、銀鹽、金銀廢水等廢料；

電子廠：電子廠回收：半導(dǎo)體藍(lán)膜，半導(dǎo)體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關(guān)，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導(dǎo)電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。