定義與分類:鍺錠是一種以鍺為主要成分的金屬錠。常見的有區(qū)熔鍺錠,是指用區(qū)熔方法提純得到的鍺錠,合格產(chǎn)品純度在 99.9999% 以上。
資源分布與產(chǎn)量:鍺在地殼中含量極其稀少,且多伴生于鉛鋅礦、煤礦等礦石中。中國是世界上的精制鍺生產(chǎn)國,在全世界每年生產(chǎn)的 150 公噸金屬中約占 70%,其他主要生產(chǎn)國包括俄羅斯和加拿大。
鍺錠的關鍵質(zhì)量指標?
純度等級:核心指標,以 “N” 表示(1N=99%),區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N,高端半導體應用需 9N 級超高純鍺錠,雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?
晶體結(jié)構(gòu):區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準單晶,晶粒尺寸均勻(通?!?mm),無明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?
電學性能:電阻率(25℃時)需符合標準,6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm,純度越高電阻率越穩(wěn)定。?
化學雜質(zhì):重點控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì),其中 O 含量需≤5ppm(避免影響晶體導電性),重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?
外觀與尺寸:銀灰色金屬光澤,表面無氧化斑、油污,截面呈梯形或矩形,長度通常為 300~600mm,直徑 / 寬度根據(jù)應用定制。
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