純度等級(jí)：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級(jí)超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。

晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通?！?mm），無(wú)明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。

電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。

全球資源分布集中：鍺在地殼中含量?jī)H 0.0007%，難以獨(dú)立成礦，主要伴生于鉛鋅礦、煤礦等，全球已探明儲(chǔ)量?jī)H 8600 噸，中國(guó)（41%）、美國(guó)（45%）為主要儲(chǔ)量國(guó)。資源的稀散屬性導(dǎo)致原料供給天然受限，直接推高上游開(kāi)采與初級(jí)提純成本。?