資源分布與產(chǎn)量：鍺在地殼中含量極其稀少，且多伴生于鉛鋅礦、煤礦等礦石中。中國(guó)是世界上的精制鍺生產(chǎn)國(guó)，在全世界每年生產(chǎn)的 150 公噸金屬中約占 70%，其他主要生產(chǎn)國(guó)包括俄羅斯和加拿大。

后處理

冷卻與脫模：區(qū)熔結(jié)束后，以 2~5℃/min 速率分段降溫，500℃以下慢速冷卻，防止內(nèi)應(yīng)力開(kāi)裂，冷卻后取出鍺錠。

切頭切尾：切除含高濃度雜質(zhì)的尾料與籽晶部分，保留中間高純段。

檢測(cè)分級(jí)：通過(guò)電阻率測(cè)試、ICP-MS 分析雜質(zhì)含量，按純度分級(jí)（如 6N、7N、8N），合格產(chǎn)品包裝入庫(kù)，不合格品返回原料重熔。

退火處理（可選）：對(duì)高純鍺錠進(jìn)行 400~500℃真空退火，消除內(nèi)應(yīng)力，提升晶體完整性，滿足半導(dǎo)體單晶制備需求。

移動(dòng)速度過(guò)快的影響

雜質(zhì)偏析不徹底，純度不達(dá)標(biāo)：快速移動(dòng)時(shí)，熔區(qū)向前推進(jìn)速度超過(guò)雜質(zhì)在液相中的擴(kuò)散速度，雜質(zhì)無(wú)法及時(shí)隨熔區(qū)向尾料遷移，會(huì)被 “截留” 在結(jié)晶的固相鍺中，導(dǎo)致鍺錠主體純度下降，無(wú)法達(dá)到 6N 及以上的目標(biāo)純度要求。

晶體生長(zhǎng)不穩(wěn)定，易形成柱狀晶或枝晶：過(guò)快的移動(dòng)速度會(huì)使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長(zhǎng)方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結(jié)構(gòu)，破壞晶體的完整性，后續(xù)加工時(shí)鍺錠易脆斷。

熔區(qū)形態(tài)不穩(wěn)定：速度過(guò)快可能導(dǎo)致熔區(qū)拉長(zhǎng)、變形，甚至出現(xiàn) “斷熔” 現(xiàn)象，造成局部未熔或過(guò)熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。

適宜的移動(dòng)速度范圍

區(qū)熔鍺錠的熔區(qū)移動(dòng)速度通常控制在 15~120mm/h，具體需根據(jù)鍺料初始純度、目標(biāo)純度、熔區(qū)寬度調(diào)整：

初始純度低（如 5N 粗鍺）或目標(biāo)純度高（如 7N、8N）時(shí)，選擇偏慢的速度（15~40mm/h），保證雜質(zhì)充分偏析；

初始純度較高或追求生產(chǎn)效率時(shí)，可適當(dāng)提高速度（60~120mm/h）。