移動(dòng)速度過(guò)快的影響

雜質(zhì)偏析不徹底，純度不達(dá)標(biāo)：快速移動(dòng)時(shí)，熔區(qū)向前推進(jìn)速度超過(guò)雜質(zhì)在液相中的擴(kuò)散速度，雜質(zhì)無(wú)法及時(shí)隨熔區(qū)向尾料遷移，會(huì)被 “截留” 在結(jié)晶的固相鍺中，導(dǎo)致鍺錠主體純度下降，無(wú)法達(dá)到 6N 及以上的目標(biāo)純度要求。

晶體生長(zhǎng)不穩(wěn)定，易形成柱狀晶或枝晶：過(guò)快的移動(dòng)速度會(huì)使固 - 液界面變得陡峭，晶體生長(zhǎng)方向紊亂，容易形成柱狀晶或枝晶結(jié)構(gòu)，破壞晶體的完整性，后續(xù)加工時(shí)鍺錠易脆斷。

熔區(qū)形態(tài)不穩(wěn)定：速度過(guò)快可能導(dǎo)致熔區(qū)拉長(zhǎng)、變形，甚至出現(xiàn) “斷熔” 現(xiàn)象，造成局部未熔或過(guò)熔，影響整根鍺錠的提純均勻性。

鍺錠的關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo)?

純度等級(jí)：核心指標(biāo)，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級(jí)超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。?

晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通?！?mm），無(wú)明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。?

電學(xué)性能：電阻率（25℃時(shí)）需符合標(biāo)準(zhǔn)，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。?

化學(xué)雜質(zhì)：重點(diǎn)控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。?

外觀與尺寸：銀灰色金屬光澤，表面無(wú)氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，長(zhǎng)度通常為 300~600mm，直徑 / 寬度根據(jù)應(yīng)用定制。

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