晶體結(jié)構(gòu)：區(qū)熔鍺錠需為定向結(jié)晶的多晶或準(zhǔn)單晶，晶粒尺寸均勻（通?！?mm），無(wú)明顯裂紋、縮孔、夾雜等缺陷。

化學(xué)雜質(zhì)：重點(diǎn)控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等雜質(zhì)，其中 O 含量需≤5ppm（避免影響晶體導(dǎo)電性），重金屬雜質(zhì)≤0.1ppm。

技術(shù)趨勢(shì)：未來(lái)將聚焦于 “提升純度 + 降低成本”，如開(kāi)發(fā)多場(chǎng)耦合區(qū)熔技術(shù)（電磁 + 溫度梯度）、優(yōu)化熔區(qū)參數(shù)控制算法，實(shí)現(xiàn) 9N 級(jí)鍺錠的規(guī)?；a(chǎn)；同時(shí)，鍺資源的回收利用（如從廢舊光纖、半導(dǎo)體器件中回收鍺）將成為重要發(fā)展方向，緩解資源短缺壓力。

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