生產(chǎn)方法：真空熔煉法和電化學(xué)還原法是當(dāng)前工業(yè)領(lǐng)域生產(chǎn)鍺錠應(yīng)用最廣泛的兩種核心方法。真空熔煉法是在密閉的高溫爐體內(nèi)，利用真空環(huán)境促進(jìn)低沸點(diǎn)雜質(zhì)揮發(fā)，實(shí)現(xiàn)鍺的提純；電化學(xué)還原法則是以含鍺溶液為原料，通過通入電流使鍺離子在陰極析出金屬鍺。

應(yīng)用領(lǐng)域：主要用于生產(chǎn)鍺顆粒、粉末、合金等。同時(shí)，它也是制造鍺單晶的原料，還可用于摻鍺光纖、氯化鍺、紅外和特種光學(xué)鏡片、二級(jí)晶體管以及各類含鍺化合物靶材等的生產(chǎn)。

裝料與氣氛準(zhǔn)備

裝舟：在水平石英舟（或石墨舟，內(nèi)壁可鍍 SiC 防粘）中依次裝入籽晶、鍺料、尾料，籽晶用于誘導(dǎo)定向結(jié)晶，尾料收集偏析雜質(zhì)。

密封與氣氛控制：將石英舟放入石英管，抽真空至 10?3~10??Pa 后，通入高純 Ar 或 H?-Ar 混合氣氛（H?體積分?jǐn)?shù) 1%~5%），防止鍺高溫氧化，同時(shí)抑制雜質(zhì)揮發(fā)損失。

預(yù)熱：以 3~5℃/min 速率升溫至 200~300℃，保溫 30~60min，去除原料中殘留水分與吸附氣體。

區(qū)熔提純（核心步驟）

熔區(qū)建立：采用高頻感應(yīng)加熱或紅外聚焦加熱，在鍺料中部形成寬度 1~3cm 的窄熔區(qū)，溫度控制在鍺熔點(diǎn)（937℃）以上 50~100℃，確保局部熔化、整體固態(tài)。

熔區(qū)移動(dòng)與多道次提純

以 15~120mm/h 的速率移動(dòng)熔區(qū)，雜質(zhì)隨熔區(qū)向尾料端偏析，純鍺在熔區(qū)前方結(jié)晶。

單次區(qū)熔提純有限，需重復(fù) 8~20 道次，根據(jù)目標(biāo)純度調(diào)整次數(shù)，每道次后熔區(qū)反向移動(dòng)可提升均勻性。

參數(shù)控制：控制加熱功率、熔區(qū)移動(dòng)速率與溫度梯度，避免局部過熱導(dǎo)致鍺揮發(fā)或石英舟變形，同時(shí)減少熱應(yīng)力與晶體缺陷。