鍺單晶與晶圓制造：6N（99.9999%）以上區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶的核心原料，經(jīng)切片、拋光制成鍺晶圓，用于制造高速晶體管、光電探測(cè)器、霍爾元件等。鍺

數(shù)據(jù)匹配性：半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)︽N錠的純度要求（7N~9N），而這一純度等級(jí)的鍺錠幾乎全部通過(guò)區(qū)熔工藝生產(chǎn)（真空熔煉、電解精煉鍺錠純度僅能達(dá)到 4N~6N，無(wú)法滿足半導(dǎo)體高端需求），因此 “半導(dǎo)體與電子領(lǐng)域 18% 的全球占比” 可直接等同于區(qū)熔鍺錠在該領(lǐng)域的應(yīng)用占比。

行業(yè)數(shù)據(jù)佐證：結(jié)合 USGS（美國(guó)地質(zhì)調(diào)查局）及行業(yè)報(bào)告數(shù)據(jù)，全球鍺消費(fèi)中紅外（36%）、光纖（34%）為前兩大領(lǐng)域，半導(dǎo)體領(lǐng)域以 18% 位居第三，且該領(lǐng)域的鍺原料幾乎均為區(qū)熔鍺錠 —— 高純度區(qū)熔鍺錠是制備鍺單晶、半導(dǎo)體靶材、高純鍺探測(cè)器的原料，無(wú)替代工藝可滿足其電子遷移率、雜質(zhì)控制等核心要求。

工藝核心原理：利用雜質(zhì)在鍺的固 - 液兩相中分配系數(shù)不同（多數(shù)雜質(zhì)在液相中溶解度更高），通過(guò)移動(dòng)窄熔區(qū)將雜質(zhì)向尾料端偏析，純鍺在熔區(qū)前方定向結(jié)晶，經(jīng)多道次提純達(dá)到高純度。