工藝適配相關(guān)故障
線路橋連 / 短路：超細(xì)線路（≤10μm 線寬）間出現(xiàn)鍍層粘連，多因光刻膠顯影不徹底、電鍍時(shí)金屬離子過(guò)度沉積，或鍍液整平性差。
盲孔 / 埋孔填充不良：孔內(nèi)出現(xiàn)空洞、凹陷，影響層間導(dǎo)通和散熱。成因是鍍液流動(dòng)性不足、電流密度未針對(duì)深寬比優(yōu)化，或添加劑中整平劑含量不足。
基材損傷：特殊基材（如 PTFE）出現(xiàn)翹曲、開(kāi)裂，多因電鍍溫度過(guò)高（超過(guò)基材耐熱極限），或前處理化學(xué)藥劑腐蝕基材表面。
種子層沉積：構(gòu)建導(dǎo)電基底
采用物相沉積（PVD）或化學(xué)鍍，在絕緣基材表面沉積超薄導(dǎo)電層（銅或鎳）。
種子層厚度控制在 0.1-0.5μm，要求覆蓋均勻、無(wú)針孔，為后續(xù)圖形電鍍提供穩(wěn)定導(dǎo)電通道。
沉積后需做簡(jiǎn)易附著力檢測(cè)，避免種子層脫落影響后續(xù)工藝。
去膠與蝕刻：剝離多余金屬
用化學(xué)脫膠劑或等離子體去除表面光刻膠 / 干膜，露出下方未被電鍍覆蓋的種子層。
采用微蝕工藝，蝕刻掉多余種子層，僅保留電鍍形成的功能線路，控制側(cè)蝕量≤0.5μm。
蝕刻后徹底水洗，避免殘留藥劑腐蝕鍍層或基材。
表面處理：提升可靠性與兼容性
非關(guān)鍵區(qū)域可做沉銀、OSP 或沉錫處理，提升可焊性與抗氧化能力。
關(guān)鍵高頻區(qū)域需保持金 / 銀鍍層潔凈，可涂覆超薄有機(jī)防氧化劑，避免氧化導(dǎo)致信號(hào)損耗增大。
處理后需控制表面粗糙度 Ra<0.5μm，減少高頻信號(hào)散射。
