核心工藝要求
鍍層精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 內(nèi)，鍍層均勻性誤差不超過 5%。
適配細線路需求：針對 IC 載板的微線路（線寬 / 線距＜20μm），需避免鍍層橋連、空洞。
材質(zhì)兼容性強：需匹配 ABF 膜、BT 樹脂、陶瓷等不同載板基材，不損傷基材性能。
關(guān)鍵成本與質(zhì)量控制點
成本核心：金鹽、銅鹽等貴金屬原料占比高（約占原材料成本的 30%-40%），細線路加工導(dǎo)致的良率損耗會顯著推高單位成本。
質(zhì)量控制：需檢測鍍層厚度（XRF 檢測）、附著力（膠帶測試）、耐腐蝕性（鹽霧測試），以及線路完整性（AOI 檢測）。
面板級加工：扇出型封裝常采用面板級封裝（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板級電鍍設(shè)備可加工尺寸高達 515x510 毫米的面板，相比傳統(tǒng)晶圓級封裝，能提高生產(chǎn)效率，降低成本。
高精度要求：需滿足高密度互連（HDI）、超細線路 / 焊盤（線寬 / 線距常＜20μm）的要求，對鍍層均勻性、致密度、附著力、純度等方面要求，例如銅鍍層孔隙率需≤1 個 /cm2。
復(fù)雜結(jié)構(gòu)處理：對于埋入式扇出型封裝結(jié)構(gòu)，可能存在深寬比較大的通孔，電鍍時需要特殊工藝處理，以避免產(chǎn)生空洞等缺陷。
關(guān)鍵技術(shù)
電鍍液配方：例如酸性銅盲孔填充電鍍液通常為高濃度的銅（200g/L 至 250g/L 硫酸銅）和較低濃度的酸（約 50g/L 硫酸），并添加抑制劑、光亮劑和整平劑等有機添加劑，以控制電鍍速率，獲得良好的填充效果和物理特性。
添加劑控制：通過控制添加劑的濃度和比例，利用抑制劑、光亮劑和整平劑的不同作用，實現(xiàn)盲孔的自下而上填充，避免大凹陷、敷形填充等問題，同時保證鍍層的均勻性和表面質(zhì)量。
