IC 載板電鍍加工是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心工藝，專為 IC 載板（如 ABF 載板、BT 載板）沉積高精度金屬鍍層，核心作用是實現(xiàn)芯片與基板的可靠電連接、提升散熱與抗腐蝕性能。
核心工藝要求
鍍層精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 內(nèi)，鍍層均勻性誤差不超過 5%。
適配細(xì)線路需求：針對 IC 載板的微線路（線寬 / 線距＜20μm），需避免鍍層橋連、空洞。
材質(zhì)兼容性強：需匹配 ABF 膜、BT 樹脂、陶瓷等不同載板基材，不損傷基材性能。
核心適用場景
消費電子載板：手機、電腦的 PCB 主板、柔性載板，需輕量化、高導(dǎo)電鍍層。
工業(yè)電子載板：工控設(shè)備、汽車電子的耐高溫載板，側(cè)重鍍層穩(wěn)定性和抗老化性。
特種電子載板：醫(yī)療設(shè)備、航空航天用載板，要求鍍層低雜質(zhì)、高可靠性。
半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導(dǎo)體封裝等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。以下是關(guān)于它的詳細(xì)介紹：
工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導(dǎo)電層，即種子層，再通過光刻技術(shù)定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預(yù)先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。
工藝流程
基材準(zhǔn)備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。
化學(xué)沉銅：通過化學(xué)沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導(dǎo)電基底，即種子層。
圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設(shè)計厚度，通常至 5-15μm，形成導(dǎo)線主體。
去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側(cè)蝕極小。
表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。
