核心工藝特點
鍍層材質(zhì)以銅、鎳、金、錫為主，適配不同電子場景需求。
對鍍層均勻性、厚度精度要求，通常需控制在微米級。
需結(jié)合載板材質(zhì)（如陶瓷、樹脂、硅）定制前處理和電鍍參數(shù)。
面板級加工：扇出型封裝常采用面板級封裝（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板級電鍍設(shè)備可加工尺寸高達 515x510 毫米的面板，相比傳統(tǒng)晶圓級封裝，能提高生產(chǎn)效率，降低成本。
高精度要求：需滿足高密度互連（HDI）、超細線路 / 焊盤（線寬 / 線距常＜20μm）的要求，對鍍層均勻性、致密度、附著力、純度等方面要求，例如銅鍍層孔隙率需≤1 個 /cm2。
復雜結(jié)構(gòu)處理：對于埋入式扇出型封裝結(jié)構(gòu)，可能存在深寬比較大的通孔，電鍍時需要特殊工藝處理，以避免產(chǎn)生空洞等缺陷。
電子載板電鍍加工主流工藝類型
電解電鍍：適用于大批量、高厚度鍍層需求（如銅鍍層≥3μm），成本較低，效率高。
化學鍍：無需通電，鍍層均勻性好，適配復雜結(jié)構(gòu)載板（如盲孔、細線路），常用于打底鍍層。
脈沖電鍍：減少鍍層晶粒大小，提升硬度和耐磨性，適配高頻、高功率電子載板。
半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導體封裝等領(lǐng)域應用廣泛。以下是關(guān)于它的詳細介紹：
工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導電層，即種子層，再通過光刻技術(shù)定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。
工藝流程
基材準備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。
化學沉銅：通過化學沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導電基底，即種子層。
圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設(shè)計厚度，通常至 5-15μm，形成導線主體。
去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側(cè)蝕極小。
表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。
