IC 載板電鍍加工是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的核心工藝，專為 IC 載板（如 ABF 載板、BT 載板）沉積高精度金屬鍍層，核心作用是實現(xiàn)芯片與基板的可靠電連接、提升散熱與抗腐蝕性能。

關(guān)鍵技術(shù)

電鍍液配方：例如酸性銅盲孔填充電鍍液通常為高濃度的銅（200g/L 至 250g/L 硫酸銅）和較低濃度的酸（約 50g/L 硫酸），并添加抑制劑、光亮劑和整平劑等有機添加劑，以控制電鍍速率，獲得良好的填充效果和物理特性。

添加劑控制：通過控制添加劑的濃度和比例，利用抑制劑、光亮劑和整平劑的不同作用，實現(xiàn)盲孔的自下而上填充，避免大凹陷、敷形填充等問題，同時保證鍍層的均勻性和表面質(zhì)量。

電子載板電鍍加工主流工藝類型

電解電鍍：適用于大批量、高厚度鍍層需求（如銅鍍層≥3μm），成本較低，效率高。

化學(xué)鍍：無需通電，鍍層均勻性好，適配復(fù)雜結(jié)構(gòu)載板（如盲孔、細線路），常用于打底鍍層。

脈沖電鍍：減少鍍層晶粒大小，提升硬度和耐磨性，適配高頻、高功率電子載板。

半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導(dǎo)體封裝等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。以下是關(guān)于它的詳細介紹：

工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導(dǎo)電層，即種子層，再通過光刻技術(shù)定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預(yù)先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。

工藝流程

基材準(zhǔn)備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。

化學(xué)沉銅：通過化學(xué)沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導(dǎo)電基底，即種子層。

圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設(shè)計厚度，通常至 5-15μm，形成導(dǎo)線主體。

去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側(cè)蝕極小。

表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。