IC 載板電鍍加工是半導體封裝領域的核心工藝，專為 IC 載板（如 ABF 載板、BT 載板）沉積高精度金屬鍍層，核心作用是實現(xiàn)芯片與基板的可靠電連接、提升散熱與抗腐蝕性能。

主流鍍層類型及用途

銅鍍層：核心導電層，用于線路互聯(lián)，厚度通常 1-5μm，要求高導電性和附著力。

鎳鍍層：中間阻擋層，防止銅擴散，厚度 0.5-2μm，提升后續(xù)鍍層結合力。

金鍍層：表面焊接 / 鍵合層，用于芯片鍵合或引腳焊接，厚度 0.1-1μm，分硬金（耐磨）、軟金（易鍵合）。

錫鍍層：低成本焊接層，替代部分金鍍層，厚度 1-3μm，要求無針孔、可焊性好。

通訊載板電鍍加工常見鍍層類型及作用

銅鍍層：是通訊載板中最主要的導電層，用于線路互聯(lián)，其厚度通常根據(jù)具體需求在 1-20μm 之間，要求具有高導電性、良好的附著力和抗電遷移性能，以保證信號的傳輸和載板的長期可靠性。

鎳鍍層：常作為中間阻擋層，防止銅擴散，同時提高后續(xù)鍍層的結合力，厚度一般在 0.5-2μm。

金鍍層：主要用于表面焊接 / 鍵合層，如芯片鍵合或引腳焊接，具有良好的導電性、抗腐蝕性和可焊性，厚度通常在 0.1-1μm，可分為硬金和軟金，硬金耐磨性好，軟金易鍵合。

錫鍍層：是一種低成本的焊接層，可替代部分金鍍層，用于載板的表面焊接，厚度一般在 1-3μm，要求無針孔、可焊性好。

半加成工藝載板電鍍是一種用于制造高精度電子載板的工藝方法，在半導體封裝等領域應用廣泛。以下是關于它的詳細介紹：

工藝原理：半加成法（SAP）的核心是通過 “逐步沉積銅層” 形成電路。先在絕緣基板表面制備超薄導電層，即種子層，再通過光刻技術定義線路圖形，對圖形區(qū)域電鍍加厚銅層，去除多余部分后形成完整電路。改良型半加成法（mSAP）則是在基板上預先貼合 3-9μm 的超薄低輪廓銅箔作為基銅，再進行后續(xù)操作。

工藝流程

基材準備：使用表面平整的超薄銅箔基板或無銅基材，如 1-2μm 厚銅層的基板或 ABF 薄膜等。

化學沉銅：通過化學沉積在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄銅層，作為導電基底，即種子層。

圖形電鍍銅：對露出的種子層區(qū)域進行電鍍加厚，使線路達到設計厚度，通常至 5-15μm，形成導線主體。

去膠與蝕刻：移除光刻膠或干膜，然后蝕刻掉未被電鍍覆蓋的薄種子層銅，由于種子層厚度極薄，蝕刻側蝕極小。

表面處理：進行沉金、OSP、沉錫等表面處理，以滿足后續(xù)封裝和焊接等工藝的要求。