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CDE電容UNL5W35-K500VDC,35UF

2025-11-18 12:03   360次瀏覽
價(jià) 格: ¥ 74

1.CDE SCD106K102G1S25-1F(10μF 1000VDC)

(1)核心參數(shù)

額定電壓:1000VDC(可承受1.25倍額定電壓持續(xù)60秒的耐壓測試);

容量:10μF(±10%標(biāo)準(zhǔn)公差,支持定制更嚴(yán)格公差);

ESR(等效串聯(lián)電阻):≤0.05Ω(@25℃, 100kHz);

峰值紋波電流:18.2Arms(@50℃工況)。

(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

介質(zhì)材料:金屬化聚丙烯薄膜(MKP),具備自愈特性,可快速恢復(fù)局部擊穿區(qū)域;

封裝:圓柱形塑料外殼(環(huán)氧樹脂密封),符合UL 94 V-0阻燃等級;

引腳:鍍錫銅合金徑向引腳,支持通孔安裝,抗拉強(qiáng)度≥10N。

(3)應(yīng)用場景

高壓直流母線濾波(如光伏逆變器、軌道交通牽引系統(tǒng));

高頻脈沖電路(如醫(yī)療X射線發(fā)生器、激光電源);

電力電子設(shè)備中的緩沖電路(需配合快恢復(fù)二極管使用)。

(4)測試標(biāo)準(zhǔn)

絕緣電阻:≥3000MΩ(測試電壓1000VDC);

壽命預(yù)期:>300,000小時(shí)(@40℃, 50%額定電壓工況)。

2. CDE UNL5W35K-F(500VDC 35μF)

(1)核心參數(shù)

額定電壓:500VDC(支持短時(shí)1.25倍過壓);

容量:35μF(E12系列標(biāo)準(zhǔn)值,可定制±5%公差);

dV/dt耐量:≥35V/μs(適用于高頻開關(guān)場景);

工作溫度:-40℃~+85℃(可承受短期+105℃高溫)。

(2)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

芯體設(shè)計(jì):多層聚丙烯薄膜與鋁箔交替卷繞,優(yōu)化高頻損耗;

散熱結(jié)構(gòu):直徑50mm×高度35mm緊湊設(shè)計(jì),銅質(zhì)散熱片集成于殼體;

環(huán)保認(rèn)證:符合RoHS指令(無鉛焊接工藝)。

(3)應(yīng)用場景

高頻諧振電路(如感應(yīng)加熱設(shè)備、無線電能傳輸系統(tǒng));

電力電子模塊的DC-Link電容(需并聯(lián)多顆實(shí)現(xiàn)低ESL);

新能源車充電樁的功率因數(shù)校正(PFC)模塊。

(4)關(guān)鍵測試數(shù)據(jù)

紋波電流能力:

50℃時(shí)22.0Arms,75℃時(shí)13.0Arms(需配合強(qiáng)制風(fēng)冷);

耐振動(dòng)性能:通過10~2000Hz掃頻振動(dòng)測試(IEC 60068-2-6標(biāo)準(zhǔn))。

5)建議選型參考

高壓場景優(yōu)先選SCD系列:其1000VDC耐壓和低損耗特性更適合光伏逆變器等高壓系統(tǒng);

高頻應(yīng)用選UNL系列:優(yōu)化的dV/dt耐量支持IGBT/MOSFET快速開關(guān)需求;