N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS=20V,RDS(ON)=30m @VGS=10V,ID=6.0A
VDS=20V,RDS(ON)=40m @VGS=4.5V,ID=3.0A
VDS=20V,,RDS(ON)=55m @VGS=2.5V,ID=2.0A
AP2300，MOS管，原廠供應
2023-12-01 10:00 938次瀏覽
價 格：
面議
深圳市世微半導體有限公司
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