當(dāng)力作用于硅晶體時，晶體的晶格產(chǎn)生變形，使載流子從一個能谷向另一個能谷散射，引起載流子的遷移率發(fā)生變化，擾動了載流子縱向和橫向的平均量，從而使硅的電阻率發(fā)生變化。這種變化隨晶體的取向不同而異，因此硅的壓阻效應(yīng)與晶體的取向有關(guān)。

這種傳感器采用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上,制成硅壓阻芯片,并將此芯片的周邊固定封裝于外殼之內(nèi)，引出電極引線（概述圖）。壓阻式壓力傳感器又稱為固態(tài)壓力傳感器，它不同于粘貼式應(yīng)變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。

傳感器的端部是高彈性鋼質(zhì)薄膜，頭部充滿低黏度硅油，起傳遞壓力和隔熱作用。敏感元件硅杯浸在硅油中，被測壓力通過鋼膜片和硅油傳遞給硅杯，硅杯的集成電阻通過金屬引線與絕緣端子相連,在印制電路板上有各種補(bǔ)償電阻。

壓阻式傳感器是在圓形硅膜片上擴(kuò)散出四個電阻，這四個電阻接成惠斯登電橋。當(dāng)有應(yīng)力作用時，兩個電阻的阻值增加，增另外由于溫度影響，使每個電阻都有變化量。且用線性方程近似求解可充分利用較為成熟的線性方程組的數(shù)值方法理淪，使問題大大簡化，因此在實(shí)際應(yīng)用中仍具有重要意義，而參量變化較大時，忽略交叉靈敏度對于求解精度影響較大。