當力作用于硅晶體時，晶體的晶格產生變形，使載流子從一個能谷向另一個能谷散射，引起載流子的遷移率發(fā)生變化，擾動了載流子縱向和橫向的平均量，從而使硅的電阻率發(fā)生變化。這種變化隨晶體的取向不同而異，因此硅的壓阻效應與晶體的取向有關。

壓組式壓力傳感器由于結構簡單。休積小輸出信號大、靈敏度高動態(tài)特性好精度高、頻響高、質量輕等優(yōu)點，可適于高頻動態(tài)測試，在航空治金氣象及醫(yī)療等方面獲得大量應用。壓阻傳感器供應就找上海百思得電子有限公司。

交叉靈敏度既與傳感器應變片自身的壓阻系數、彈性模量、溫度系數有關，又與電橋的供電電壓有關，因此應變和溫度同時作用于傳感器時，傳感器的輸出不是應變和溫度單獨作用時產生的輸出量的簡單迭加，還存在著熱力學和力學量的相互作用，這個作用反映為交叉靈敏度，其大小反映了這種相互作用的程度。

硅膜片的一面是與被測壓力連通的高壓腔，另一面是與大氣連通的低壓腔。硅膜片一般設計成周邊固支的圓形，直徑與厚度比約為20～60。在圓形硅膜片定域擴散4條P雜質電阻條，并接成全橋，其中兩條位于壓應力區(qū)，另兩條處于拉應力區(qū)，相對于膜片中心對稱。?

此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上擴散制作電阻條，兩條受拉應力的電阻條與另兩條受壓應力的電阻條構成全橋。?