高精度阻抗控制：高頻高速線(xiàn)路板要求電鍍層均勻性，以確保阻抗波動(dòng)控制在極小范圍內(nèi)。如選擇性電鍍金工藝通過(guò)脈沖電鍍，可使金層厚度偏差控制在 ±0.1μm，阻抗波動(dòng) ±3%。

種子層沉積：構(gòu)建導(dǎo)電基底

采用物相沉積（PVD）或化學(xué)鍍，在絕緣基材表面沉積超薄導(dǎo)電層（銅或鎳）。

種子層厚度控制在 0.1-0.5μm，要求覆蓋均勻、無(wú)針孔，為后續(xù)圖形電鍍提供穩(wěn)定導(dǎo)電通道。

沉積后需做簡(jiǎn)易附著力檢測(cè)，避免種子層脫落影響后續(xù)工藝。

圖形電鍍：加厚功能鍍層

優(yōu)先采用脈沖電鍍或周期反向電鍍，在線(xiàn)路裸露區(qū)域沉積銅層（厚度 5-15μm），保證鍍層結(jié)晶細(xì)密、低電阻率。

關(guān)鍵區(qū)域（如射頻接口、連接器）需進(jìn)行選擇性電鍍，額外沉積金、銀等低損耗鍍層，厚度根據(jù)需求控制在 0.1-3μm。

電鍍過(guò)程中嚴(yán)格控制電流密度（1-5A/dm2）、鍍液溫度（20-30℃）及攪拌速度，確保鍍層均勻性與平整度。

去膠與蝕刻：剝離多余金屬

用化學(xué)脫膠劑或等離子體去除表面光刻膠 / 干膜，露出下方未被電鍍覆蓋的種子層。

采用微蝕工藝，蝕刻掉多余種子層，僅保留電鍍形成的功能線(xiàn)路，控制側(cè)蝕量≤0.5μm。

蝕刻后徹底水洗，避免殘留藥劑腐蝕鍍層或基材。