物理特性：銦靶材呈銀色光澤的灰色，熔點為 156.61℃，沸點 2060℃，密度 7.3 g/cm3。質(zhì)地非常軟，能用指甲刻痕，可塑性強，有良好的延展性，可壓成片。
化學(xué)特性：銦具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性，但在一些特定的環(huán)境下，如高溫、強酸堿等條件下，可能會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。銦化合物在真空下蒸發(fā)，能夠在電子產(chǎn)品和光伏電池生產(chǎn)中形成薄膜。
銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個國家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國關(guān)注的重點。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時推動高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。
濺射氣體控制
氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。
氣壓調(diào)節(jié)：
直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。
射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動態(tài)調(diào)整。
功率與溫度管理
濺射功率：
銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。
直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。
靶材冷卻：
采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導(dǎo)致銦原子擴散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。
定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。
